MENEGHESSO GAUDENZIO

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Structure Department of Information Engineering
Telephone 0498277653
Qualification Professore ordinario
Scientific sector ING-INF/01 - ELECTRONICS
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Notice and additional information
Fa parte dell'iniziativa di azienda ETA Semiconductors.

Dopo avere vinto il Premio Nazionale per l’Innovazione nella categoria GREEN, ETA Semiconductors è stata premiata Martedì 12 Giugno 2012 presso il Senato della Repubblica di Roma con il “Premio dei Premi per l’Innovazione 2012” – Università e ricerca pubblica- prestigioso riconoscimento riservato ad aziende, enti pubblici o persone fisiche, individuati tra i vincitori dei premi per l’innovazione assegnati annualmente a livello nazionale – alla presenza del Presidente del Senato, Renato Schifani, e del Ministro dell’Istruzione, dell’Università e della Ricerca, Francesco Profumo.

http://presidente.senato.it/agenda/63836/63837/pagina.htm

http://www.cotec.it/it/2012/06/premio-dei-premi-4/

La motivazione è stata la seguente: “ Per aver sviluppato, nell’ambito dell’Università di Padova, innovativi circuiti integrati per gestire il consumo energetico elle batterie in dispositivi portatili, quali cellulari, tablet e lettori MP3, in grado di consentire un risparmio di energia consumata, una diminuzione di emissioni elettromagnetiche e una riduzione dei costi di produzione.”

Il gruppo è composto da Gaudenzio Meneghesso, dal dott. Fabio Alessio Marino, assegnista presso il nostro Dipartimento, dal dott. Francesco Bianco, laureato in ingegneria (sempre nel nostro dipartimento), attualmente dipendente di una azienda e dal dott. Paolo Menegoli, imprenditore nel settore dei semiconduttori.

Tra i premiati, Barilla, Ansaldo, ST-Microelectronics, ENI, Pirelli, RAI, Selex….

PREMI:

1992 Ha vinto un premio SIP per le migliori sei tesi di laurea discusse presso l’Università di Padova nell’AA 1991-92.

2011 Vincitore di StartCup Veneto 2011 con la proposta “Eta Semiconductor” (10KEuro per finanziare l’avvio di una piccola azienda.

2011 Vincitore di del Premio Nazionale Innovazione “Working Capital ­ PNI” nel settore Green con “Eta Semiconductor”(100KEuro per finanziare l’avvio di una piccola azienda)

BORSE DI STUDIO

Ha vinto una borsa di studio di 6 mesi nell’ambito del programma della Comunità Europea “Human Capital and Mobility” presso l’Università di Twente, Enschede, Olanda. Durante tale periodo sono stati caratterizzati i dispositivi di protezione contro le scariche elettrostatiche.

BEST PAPER AWARDS

ESREF’96 (Enschede Olanda, 8-11 Ottobre 1996) con il Lavoro dal Titolo: “Turn-On Speed Of Grounded Gate nMOS ESD protection Transistors”

ESREF’99 (Bordeaux, France, 5-8 Ottobre 1999) con il lavoro dal titolo: “HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures”

ISCHIA 2006 con il lavoro dal titolo: “Reliability issues of RF-MEMS switches”,

EOS/ESD 2006, Tucson, Arizona, September 10-15, 2006, col il lavoro dal titolo “TLP Issues on Ohmic and Capacitive RF-MEMS Switches”,

ESREF’2007 (Arcachon, France, Ottobre 7-12, 2007) con il Lavoro dal Titolo: “Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology”,

ESREF’2009 (Arcachon, France, Ottobre 6-9, 2009) con il Lavoro dal Titolo: “Reliability analysis of InGaN Blu-Ray Laser Diode”


Office hours
Monday from 14:00 to 16:00 DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE, 1 Piano, stanza 117. Prendere appuntamento via e-mail: gaudenzio.meneghesso@unipd.it
(updated on 28/06/2013 12:09)

Proposals for thesis
Tesi proposte:

- Sistemi con amplificatori operazionali (analisi e simulazione)

- I Led nell'illuminazione di ambienti domestici ed esterni

- Apllicazioni dei LED UV

- Dispositivi di Potenza

- Celle solari (tecnologie realizzative e prestazioni)

- Celle solari della 4 generazione

- Indagine di mercato sulla convenienza del Fotovoltaico

- Amplificatori di Potenza

- Convertitori DC/DC, DC/AC e AC/DC

- Tecnologie realizzative dei Display (tradizionali e touch screen)

- Sensori CCD e CMOS

Curriculum Vitae
Gaudenzio Meneghesso (IEEE S’95–M’97–SM’07- F’13)
He graduated in Electronics Engineering at the University of Padova in 1992 working on the failure mechanism induced by hot-electrons in MESFETs and HEMTs. In 1997 he received the Ph.D. degree in Electrical and Telecommunication Engineering from the University of Padova working on hot-electron characterization, effects and reliability of GaAs-based and InP-based HEMT's and pseudomorphic HEMT's. Since 2011 is with University of Padova as Full Professor.

His research interests are:
a) Power devices on wide bandgap semiconductors (GaN, SiC)
b) Microwave and optoelectronics devices on III-V and III-N;
c) RF-MEMS switches for reconfigurable antenna arrays;
d) Electrostatic discharge (ESD) protection structures;
e) organic semiconductors devices;
f) photovoltaic solar cells based on various materials.

RESEARCH PROJECTS AND CONTRACTS
He is (has been) involved in several research Projects that have cumulated a total funding, for the department of information Engineering, of more that 6 Million Euro.

He is the Project Coordinator of a European project H2020 – InRel-NPower
(http://www.inrel-npower.eu/ ) H2020-NMBP-2016-2017, Grant Agreement number 720527.

He is/was the work package leader and the responsible for the University of Padova of several European projects:
- Local Responsible and WPleader of an European project, STREP, FP6, "HYPHEN", "Hybrid Substrates for Competitive High Frequency Electronics" - Project ID: 027455
- Local Responsible and WPleader of an European project STREP of FP7: ALINWON "AlGaN and InAlN based microwave components", Project ID: 242394
- Local Responsible and WPleader of an European project STREP of FP7 - Hiposwitch "GaN-based normally-off high power switching transistor for efficient power converters" Project ID: 287602
- Local Responsible and WPleader of an European project ENIAC JU "E2COGAN" - Energy Efficient Converters using GaN Power Devices - project no. 324280/2012
- Local Responsible and WPleader of an European project ECSEL "WINSiC4AP"

Within these activities, he published more than 800 technical papers (of which more than 100 Invited Papers and 10 best paper awards.
Bibliometric indexes (updated April 2017):
• Scopus: Documents: 504, Tot. Citations 6519, h-index: 40
• Google Scholar: Documents: 621, Tot. Citations 9000, h-index: 45

He is reviewer of several international journals.

He served several years for the IEEE-International Electron Device Meeting (IEDM): he was in the Quantum Electronics and Compound Semiconductors sub-committee as a member in 2003, and 2017 as chair in 2004 and 2005 while in 2006 and 2007 he has been in the Executive Committee as European Arrangements Chair.

He is serving since 2005 in the TPC of the IEEE International Reliability Physics (IRPS) Symposium (being TPC Chair of the Compound Semiconductor from 2008 to 2010) and since 2009 he is with the management committee.
In 2018 He has been Technical Program Committee Chair of IEEE IRPS 2018.

Currently he is Associate Editor of the IEEE Transaction on Electron Devices for the compound semiconductor devices area since 2015.

He has been nominated to IEEE Fellow class 2013, with the following citation: “for contributions to the reliability physics of compound semiconductors devices”.

More details can be found here: http://www.meneghesso.it

Research areas
a) Progettazione, collaudo e modellizzazione di strutture di protezione da ESD per circuiti integrati CMOS e SMART POWER
E’ stato condotto uno studio di caratterizzazione, collaudo e sviluppo di strutture di protezione realizzate in tecnologia CMOS e SMART POWER (BCD, e BCD SOI, Silicon On Insulator) analizzate tramite misure elettriche, misure di elettroluminescenza (microscopia ad emissione) e simulazioni elettro-termiche drift-diffusion bidimensionali (DESSIS-ISE

b) Caratterizzazione elettrica, modellizzazione e valutazione dell’affidabilità di dispositivi per microonde su semiconduttori III-V quali GaAs e InP
E’ stato condotto uno studio sistematico delle caratteristiche e dell’affidabilità di dispositivi ad effetto di campo (MESFETs ed HEMTs) e bipolari (HBT) cresciuti su GaAs e/o su InP. In particolare sono stati affrontati i seguenti argomenti: (i) Caratterizzazione del breakdown di dispositivi e misura del coefficiente di ionizzazione di elettroni e lacune; (ii) Miglioramento del breakdown in dispositivi su InP mediante l’utilizzo di un canale composito (InGaAs/InP) e quantizzato (spessore di canale inferiore a 10nm); (iii) Studio dei modi e meccanismi di guasto in dispositivi sottoposti a prove di vita accelerate;

c) Caratterizzazione elettrica, modellizzazione e affidabilità di dispositivi elettronici ed optoelettronici su semiconduttori ad ampio energy gap
Si studiano approfonditamente dispositivi optoelettronici (LEDs) e di potenza per microonde (MESFETs ed HEMTs) su Carburo di Silicio (SiC) e Nitruro di Gallio (GaN). Sono state caratterizzate le instabilità presenti nelle caratteristiche elettriche (collasso ed effetto kink nelle curve I-V, transitori di corrente, fotocorrente, ecc.) attribuite a stati trappola. Infine sono state condotte diverse prove di stress elettrico mirato all’identificazione di modi e meccanismi di guasto in GaN HEMTs per l’identificazione delle soluzioni tecnologiche per lo sviluppo di dispositivi robusti e affidabili.

d) Caratterizzazione elettrica, modellizzazione e affidabilità di interruttori RF-MEMS per antenne riconfigurabili.
È stato condotto uno studio di caratterizzazione, affidabilità e modellistica di analisi di guasto di interruttori (switch) realizzati in tecnologia MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) per applicazioni a radio frequenza (RF, Radio Frequency). L’obiettivo principale di questa attività di ricerca è stato (i) analizzare da un punto di vista elettro-meccanico i meccanismi di funzionamento di questi dispositivi, (ii) individuare la corretta metodologia di caratterizzazione, (iii) individuare i meccanismi di guasto mediante prove di invecchiamento accelerato ed infine (iv) misurare il loro comportamento in ambienti particolarmente ostili quale quello spaziale e quello di shock meccanico

e) Sviluppo di elettronica organica a basso costo, bassa potenza, larga area.
Gli sforzi di ricerca è stata dedicata allo studio dei fattori più importanti che limitano le prestazioni e l’affidabilità di dispositivi stato dell’arte semiconduttori organici per applicazioni elettroniche e optoelettroniche (transistori organici a film sottile, diodi emettitori di luce organici, celle solari organiche). Anche se questi dispositivi hanno strutture diverse, presentano una serie di aspetti critici comuni che devono essere studiati con l’obiettivo di migliorare le prestazioni, stabilità e affidabilità.

Publications
Lista delle pubblicazioni maggiormente citate (al 30 Giugno 2013):

Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: state of the art and perspectives
G Meneghesso et al.
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 332-343, 2008
citato da 177

Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 51 (10), 1554-1561, 2004
citato da 158

On-state and off-state breakdown in GaInAs/InP composite-channel HEMT's with variable GaInAs channel thickness
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 46 (1), 2-9, 1999
citato da 77

A review on the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, LR Trevisanello, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 323-331, 2008
citato da 75

Analysis of a high-power-factor electronic ballast for high brightness light emitting diodes
G Spiazzi, S Buso, G Meneghesso
Power Electronics Specialists Conference, 2005. PESC'05. IEEE 36th, 1494-1499,2005
citato da 70

Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
G Meneghesso, et al
Electron Devices, IEEE Trans. on 53 (12), 2932-2941, 2006
citato da 68

Accelerated life test of high brightness light emitting diodes
L Trevisanello, M Meneghini, G Mura, M Vanzi, M Pavesi, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 304-311, 2008
citato da 60

30-nm two-step recess gate InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs
T Suemitsu, H Yokoyama, T Ishii, T Enoki, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 49 (10), 1694-1700, 2002
citato da 60

Influence of short-term low current dc aging on the electrical and optical properties of InGaN blue light-emitting diodes
F Rossi, M Pavesi, M Meneghini, G Salviati, M Manfredi, G Meneghesso, et al.
Journal of applied physics 99 (5), 053104-053104-7, 2006
citato da 59

Trapped charge modulation: a new cause of instability in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT's
G Meneghesso et al.
Electron Device Letters, IEEE 17 (5), 232-234, 1996
citato da 58

A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, A Tazzoli, G Mura, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 57 (1), 108-118, 2010
citato da 56

Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs
M Faqir, G Verzellesi, G Meneghesso, et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 55 (7), 1592-1602, 2008
citato da 55


Localized damage in AlGaN/GaN HEMTs induced by reverse-bias testing
E Zanoni, F Danesin, M Meneghini, A Cetronio, C Lanzieri, M Peroni, G Meneghesso
Electron Device Letters, IEEE 30 (5), 427-429 52 2009
citato da 52

Performance degradation of high-brightness light emitting diodes under DC and pulsed bias
S Buso, G Spiazzi, M Meneghini, G Meneghesso
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 312-322, 2008
citato da 50

Systematic characterization of Cl< sub> 2</sub> reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
D Buttari, A Chini, G Meneghesso, et al.
Electron Device Letters, IEEE 23 (2), 76-78, 2002
citato da 49

Low-frequency noise sources in as-prepared and aged GaN-based light-emitting diodes
S Bychikhin, D Pogany, LKJ Vandamme, G Meneghesso, E Zanoni
Journal of applied physics 97 (12), 123714-123714-7, 2005
citato da 47

Evidence of interface trap creation by hot‐electrons in AlGaAs/GaAs ....
G Meneghesso, et al.
Applied physics letters 69 (10), 1411-1413, 1996
citato da 43

Lecturer's Publications (PDF): CE9AE9254B3C1B4A5809204DF138F32C.pdf

List of taught course units in A.Y. 2019/20
Degree course code (?) Degree course track Course unit code Course unit name Credits Year Period Lang. Teacher in charge
IN0513 COMMON IN03102536 9 3rd Year (2019/20) First
semester
ITA GAUDENZIO MENEGHESSO